[发明专利]一种InGaN量子点的外延生长方法以及所得的单光子源无效
| 申请号： | 201110162664.4 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102244156A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 罗毅;吕文彬;汪莱;郝智彪 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王加岭;张庆敏 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种InGaN量子点的外延生长方法，包括以下步骤：在衬底上依次外延生长低温缓冲层、高温GaN体材料和低温GaN插入层，然后在所述GaN插入层上外延生长InGaN量子点。本发明还提供了一种由所述生长方法所得的InGaN量子点单光子源。本发明所述外延生长方法所得的量子点具有很强的量子限制效应，十分适合制作单光子源。所述外延生长方法可以有效降低量子点的横向尺寸和密度，而且步骤简便，条件温和，具有广泛的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingan 量子 外延 生长 方法 以及 所得 光子 | ||
【主权项】：
一种InGaN量子点的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上依次外延生长低温缓冲层、高温GaN体材料和低温GaN插入层，然后在所述GaN插入层上外延生长InGaN量子点。
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