[发明专利]一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器有效
| 申请号： | 201110160543.6 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102339951A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 饶峰;宋志棠;夏梦姣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器，其存储单元尺寸在10F2以下，所使用的相变材料为：二元材料SbxM100-x，40≦x≦98，或三元材料MySbxTe100-x，40≦x≦98，1≦y≦40。本发明所提供的该相变存储器单元，具有超快的相变速度，超低的功耗，超强的疲劳使用寿命，以及适中的高低电阻比例和适中的数据保持能力。克服了传统DRAM器件在亚28纳米工艺节点之后所遇到的技术瓶颈，可实现对DRAM的替代。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dram 相变 存储 单元 用于 替代 存储器 | ||
【主权项】：
一种DRAM相变存储单元，其特征在于，其存储单元尺寸在10F2以下，所使用的相变材料为：(a)二元材料：SbxM100 x，40≤x≤98，M选自Te、Se、Si、Ge、C、N、O、Sn、Ga、Al、Pb、In、As、Ag、Au、Cu、W、B；或(b)三元材料：MySbxTe100 x，40≤x≤98，1≤y≤40，M选自Si、Ge、C、N、O、Sn、Ga、Al、Pb、In、Ag、Au、Cu、W、B。
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