[发明专利]背接触异质结太阳电池

摘要

本发明涉及一种太阳电池，具体涉及一种背接触异质结太阳电池。包括由上到下依次叠层的透明导电薄膜TCO、P-a-Si非晶硅薄膜、i-a-Si本征非晶硅薄膜、N-C-SiN型晶体硅、i-a-Si本征非晶硅薄膜、N-a-SiN型非晶硅薄膜、贯穿型背电极和背电极。本发明的太阳电池不会出现常规P型晶硅太阳能电池光致衰减现象；背接触电极降低接触电阻，有效降低电池受光面的遮光率，从而也增加了电流的收集率，提高了太阳能电池的转化效率；且温度系数低，适合高温环境使用；低温烧结工艺大大简化生产工艺、降低生产成本，适合产业化发展。

主权项

一种背接触异质结太阳电池，其特征在于：包括由上到下依次叠层的透明导电薄膜TCO、P‑a‑Si非晶硅薄膜、i‑a‑Si本征非晶硅薄膜、N‑C‑Si N型晶体硅、i‑a‑Si本征非晶硅薄膜、N‑a‑Si N型非晶硅薄膜、贯穿型背电极和背电极，形成P‑a‑si/ i‑ a‑si/N‑c‑si/ i‑a‑si/N‑a‑si异质结结构。