[发明专利]相变存储器的数据读出电路有效
申请号: | 201110151742.0 | 申请日: | 2011-06-07 |
公开(公告)号: | CN102820056A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 李喜;陈后鹏;宋志棠;蔡道林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/26 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种相变存储器的数据读出电路,涉及一个或多个相变存储单元,每一个相变存储单元通过位线和字线与控制电路连接;所述数据读出数据包括:箔位电压产生电路,用于产生箔位电压;预充电电路,在箔位电压的控制下对位线进行快速充电;箔位电流产生电路,在箔位电压的控制下产生使位线维持在箔位平衡态时的箔位电流;箔位电流运算电路,将箔位电流进行求差和倍乘运算,增大高阻态时箔位电流和低阻态时箔位电流的差值;比较放大电路,将经过运算处理后的箔位电流与参考电流比较,输出读出结果。相比于现有技术,本发明的相变存储器的数据读出电路能有效地提高数据的读出速度、减小高低阻间的误读窗口、减小数据读出时的串扰、提高读出数据的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 相变 存储器 数据 读出 电路 | ||
【主权项】:
一种相变存储器的数据读出电路,所述存储存储器包括一个或多个相变存储单元,每一个相变存储单元通过位线和字线与控制电路连接;其特征在于,所述数据读出数据包括:箔位电压产生电路,用于产生箔位电压;预充电电路,在所述箔位电压的控制下对所述存储单元的位线进行快速充电;箔位电流产生电路,在所述箔位电压的控制下产生使所述位线维持在箔位平衡态时的箔位电流;箔位电流运算电路,将所述箔位电流进行求差和倍乘运算,增大高阻态时箔位电流和低阻态时箔位电流的差值;比较放大电路,将经过所述箔位电流运算电路运算处理后的箔位电流与参考电流比较,输出读出结果。
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