[发明专利]相变存储器的数据读出电路

权利要求书

1.一种相变存储器的数据读出电路，所述存储存储器包括一个或多个相变存储单元，每一个相变存储单元通过位线和字线与控制电路连接；其特征在于，所述数据读出数据包括：

箔位电压产生电路，用于产生箔位电压；

预充电电路，在所述箔位电压的控制下对所述存储单元的位线进行快速充电；

箔位电流产生电路，在所述箔位电压的控制下产生使所述位线维持在箔位平衡态时的箔位电流；

箔位电流运算电路，将所述箔位电流进行求差和倍乘运算，增大高阻态时箔位电流和低阻态时箔位电流的差值；

比较放大电路，将经过所述箔位电流运算电路运算处理后的箔位电流与参考电流比较，输出读出结果。

2.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，还包括在所述位线上串接的传输门，使得所述预充电电路和所述箔位电流产生电路经由所述传输门与所述位线连接。

3.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，还包括放电电路，用于在所述比较放大电路完成比较放大操作后泄放所述位线上和所述数据读出电路负载端的残存电荷。

4.如权利要求3所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述放电电路包括连接在所述预充电电路和地线之间的受控第一nMOS管和连接在所述位线和地线之间的受控第二nMOS管。

5.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述箔位电压产生电路包括电流源、连接成二极管形式的第一nMOS管以及与第一nMOS管串接的第二nMOS管，第一nMOS管的漏极与所述电流源的电流输出端连接，第一nMOS管的栅极与第二nMOS管的栅极连接，第一nMOS管的源极与第二nMOS管的漏极连接，第二nMOS管的源极接地。

6.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述预充电电路包括预充电开关管和与所述预充电开关管串联的预充电箔位nMOS管。

7.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述箔位电流产生电路包括箔位nMOS管。

8.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述箔位电流运算电路包括由四个pMOS管形成的两个电流镜结构，其中，第一pMOS管的栅极与第二pMOS管的栅极连接，且第一pMOS管的栅极和第一pMOS管的漏极相连，第一pMOS管的漏极与偏置电流源相连，第一pMOS管的源极接电压源，第二pMOS管的源极接电压源，第二pMOS管的漏极与所述箔位电流产生电路连接；第三pMOS管与第四pMOS管的栅极连接，且第三pMOS管的栅极与第三pMOS管的漏极相连，第三pMOS管的漏极与所述箔位电流产生电路连接，第三pMOS管的源极接电压源，第四pMOS管的源极接电压源，第四pMOS管的漏极则输出运算后的电流；第一pMOS管和第二pMOS管形成的电流镜提供偏置电流，第二pMOS管和第三pMOS管实现求差运算，第三pMOS管和第四pMOS管实现倍乘运算。

9.如权利要求8所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述箔位电流产生电路包括箔位nMOS管，所述箔位nMOS管的漏极与第二pMOS管的漏极、第三pMOS管的漏极连接。

10.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述比较放大电路包括电流比较器，所述电流比较器的输入端分别输入所述箔位电流和所述参考电流，所述电流比较器的输出端输出两者的比较结果。