[发明专利]相变存储器的数据读出电路有效

专利信息
申请号: 201110151738.4 申请日: 2011-06-07
公开(公告)号: CN102820055A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 李喜;陈后鹏;宋志棠;蔡道林 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/26
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种读电压/读电流可切换的相变存储器的数据读出电路,包括:箔位电压产生电路;预充电电路;箔位电路,具有产生箔位电流的第一工作模式和产生预放大电压的第二工作模式;读模式切换电路,在读模式选择信号控制下选择读电流模式或读电压模式;电流电压转换电路,读电流模式下,将箔位电流和参考电流进行运算,转换为互补的两路电压;比较放大电路,将选择的两路电压进行比较,输出读出结果;在读电流模式下,两路电压为电流电压转换电路转换后形成的两路电压;在读电压模式下,两路电压为预放大电压和读电压模式下的参考电压。相比于现有技术,本发明数据读出电路实现了读电压/读电流的切换,可以针对不同的负载条件选择与其相匹配的读模式。
搜索关键词: 相变 存储器 数据 读出 电路
【主权项】:
一种读电压/读电流可切换的相变存储器的数据读出电路,所述相变存储器包括一个或多个相变存储单元,每一个相变存储单元通过位线和字线与控制电路相连;其特征在于,所述数据读出数据包括:箔位电压产生电路,用于产生箔位电压;预充电电路,在所述箔位电压的控制下对所述存储单元的位线进行快速充电;箔位电路,由箔位电压的控制,具有在读电流模式下对位线进行箔位而产生箔位电流的第一工作模式和在读电压模式下对位线信号进行预放大而产生预放大电压的第二工作模式;读模式切换电路,在读模式选择信号控制下选择读电流模式或读电压模式,控制箔位电路执行对应读电流模式的第一工作模式或对应读电压模式的第二工作模式,以及选择需要比较的两路电压;电流电压转换电路,在所述读模式切换电路选择读电流模式的情况下,将产生的箔位电流与读电流模式下的参考电流进行运算,进而转换为互补的两路电压;比较放大电路,将所述读模式切换电路选择的两路电压进行比较,输出读出结果;在读电流模式下,所述读模式切换电路选择的两路电压包括所述电流电压转换电路转换后形成互补的两路电压;在读电压模式下,所述读模式切换电路选择的两路电压包括箔位电路对位线信号进行预放大的预放大电压和读电压模式下的参考电压。
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