[发明专利]相变存储器的数据读出电路

权利要求书

1.一种读电压/读电流可切换的相变存储器的数据读出电路，所述相变存储器包括一个或多个相变存储单元，每一个相变存储单元通过位线和字线与控制电路相连；其特征在于，所述数据读出数据包括：

箔位电压产生电路，用于产生箔位电压；

预充电电路，在所述箔位电压的控制下对所述存储单元的位线进行快速充电；

箔位电路，由箔位电压的控制，具有在读电流模式下对位线进行箔位而产生箔位电流的第一工作模式和在读电压模式下对位线信号进行预放大而产生预放大电压的第二工作模式；

读模式切换电路，在读模式选择信号控制下选择读电流模式或读电压模式，控制箔位电路执行对应读电流模式的第一工作模式或对应读电压模式的第二工作模式，以及选择需要比较的两路电压；

电流电压转换电路，在所述读模式切换电路选择读电流模式的情况下，将产生的箔位电流与读电流模式下的参考电流进行运算，进而转换为互补的两路电压；

比较放大电路，将所述读模式切换电路选择的两路电压进行比较，输出读出结果；在读电流模式下，所述读模式切换电路选择的两路电压包括所述电流电压转换电路转换后形成互补的两路电压；在读电压模式下，所述读模式切换电路选择的两路电压包括箔位电路对位线信号进行预放大的预放大电压和读电压模式下的参考电压。

2.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，还包括在所述位线上串接的位线传输门，使得所述预充电电路和所述箔位电流产生电路经由所述位线传输门与所述位线连接。

3.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，还包括放电电路，用于在所述比较放大电路完成比较放大操作后泄放所述位线上和所述数据读出电路负载端的残存电荷。

4.如权利要求3所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述放电电路包括连接在所述预充电电路和地线之间的受控第一nMOS管和连接在所述位线和地线之间的受控第二nMOS管。

5.如权利要求1或3所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，还包括位线偏置电流电路，用于给位线提供偏置电流。

6.如权利要求5所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述位线偏置电流电路包括由两个pMOS管形成的电流镜结构，其中，第一pMOS管的漏极与偏置电流源连接，第二pMOS管的漏极与所述箔位电路连接。

7.如权利要求6所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述位线偏置电流电路分别处于读电压模式和读电流模式时其偏置电流源具有不同的电流。

8.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述箔位电压产生电路包括电流源、连接成二极管形式的第一nMOS管以及与第一nMOS管串接的第二nMOS管，第一nMOS管的漏极与所述电流源的电流输出端连接，第一nMOS管的栅极与第二nMOS管的栅极连接，第一nMOS管的源极与第二nMOS管的漏极连接，第二nMOS管的源极接地。

9.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述预充电电路包括预充电开关管和与所述预充电开关管串联的预充电箔位nMOS管。

10.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述箔位电路包括箔位nMOS管。

11.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出电路，其特征在于，所述读模式切换电路包括：电流电压转换电路控制开关；比较放大电路输入信号选择开关，包括用于分别连接读电流模式下由电流电压转换电路产生的第一电压和比较放大器正输入端、读电压模式下预放大电压和比较放大器正输入端、读电流模式下由电流电压转换电路产生的第二电压和比较放大器负输入端、读电压模式下参考电压和比较放大器负输入端的四个传输门；以及用于对读模式选择信号进行反相而获得读模式选择信号反信号的反相器。