[发明专利]制造涂覆构件的方法有效
| 申请号： | 201110151656.X | 申请日： | 2011-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102260859A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 铃木雅裕;齐藤利幸;山川和芳 | 申请（专利权）人： | 株式会社捷太格特 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/515 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 利用以下方式进行制造涂覆构件(20)的方法。首先为类金刚石碳膜沉积工艺，其中通过在储存有基材(4)的处理室(3)中对所述基材(4)施加电压产生等离子体、同时抽空所述处理室(3)并且将包含至少碳化合物的原料气引入所述处理室(3)中，在基材(4)的表面上形成类金刚石碳膜(21)。之后为氢化工艺，其中在持续抽空的同时通过停止施加电压并且引入氢气替代所述原料气，利用氢气氢化所沉积的类金刚石碳膜(21)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 构件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造其中基材表面至少部分涂覆有类金刚石碳膜(21)的涂覆构件(20)的方法，所述方法的特征在于包括：类金刚石碳膜沉积工艺，其中通过在储存基材(4)的处理室(3)中对所述基材(4)施加电压产生等离子体、同时抽空所述处理室(3)并且将包含至少碳化合物的原料气引入所述处理室(3)中，在基材(4)的表面上形成类金刚石碳膜(21)；和氢化工艺，其中在持续所述抽空的同时，通过停止施加电压并且引入氢气替代所述原料气，利用氢气氢化所沉积的类金刚石碳膜(21)。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
