[发明专利]制造涂覆构件的方法

权利要求书

1.一种制造其中基材表面至少部分涂覆有类金刚石碳膜(21)的涂覆构件(20)的方法，所述方法的特征在于包括：

类金刚石碳膜沉积工艺，其中通过在储存基材(4)的处理室(3)中对所述基材(4)施加电压产生等离子体、同时抽空所述处理室(3)并且将包含至少碳化合物的原料气引入所述处理室(3)中，在基材(4)的表面上形成类金刚石碳膜(21)；和

氢化工艺，其中在持续所述抽空的同时，通过停止施加电压并且引入氢气替代所述原料气，利用氢气氢化所沉积的类金刚石碳膜(21)。

2.根据权利要求1所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中所述原料气还包含氢气和氩气中的至少之一。

3.根据权利要求1所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中所述原料气选自甲烷(CH₄)、乙炔(C₂H₂)和苯(C₆H₆)中的至少之一。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中所述原料气还包含硅化合物。

5.根据权利要求4所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中所述硅化合物为四甲基硅烷(Si(CH₃)₄)。

6.根据权利要求4所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中所述硅化合物的浓度为7质量％～30质量％，包括端值。

7.根据权利要求6所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中所述硅化合物的浓度为20质量％。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的制造涂覆构件(20)的方法，所

述氢化工艺与在所述类金刚石碳膜沉积工艺之后的所述基材的冷却同时进行。

9.根据权利要求1～3中任一项所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中在所述类金刚石碳膜沉积工艺中，所述等离子体通过对所述基材施加DC脉冲电压而产生。

10.根据权利要求9所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中所述DC脉冲电压的占空系数为至少5％。

11.根据权利要求10所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中所述DC脉冲电压的占空系数为约50％。

12.根据权利要求1～3中任一项所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中在所述氢化工艺期间，在所述处理室中的压力为约100Pa～400Pa，包括端值。

13.根据权利要求12所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中在所述氢化工艺期间，在所述处理室中的压力为200Pa。

14.根据权利要求1～3中任一项所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中当所述类金刚石碳膜沉积工艺的余热在特定温度以上时，进行所述氢化工艺。

15.根据权利要求14所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中所述特定温度为100℃。

16.根据权利要求1～3中任一项所述的制造涂覆构件(20)的方法，其中氢化工艺进行1分钟～7分钟。