[发明专利]共轭打断超支化聚合物半导体光电材料及其制备和应用方法无效
| 申请号： | 201110143271.9 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102295758A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 黄维;解令海;刘正东;常永正;欧昌金;殷成蓉;仪明东;钱妍;石乃恩;张广维 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/30 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
共轭打断聚合物半导体材料及其制备和应用方法属于有机光电材料科技领域，在发光二极管、太阳能电池、磷光主体材料、有机电存储材料、孔材料以及气体传感等领域有着潜在的重要用途。本发明的共轭打断聚合物半导体材料具有如下结构： |
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| 搜索关键词： | 共轭 打断 超支 聚合物 半导体 光电 材料 及其 制备 应用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种共轭打断超支化聚合物半导体光电材料，其特征是该材料具有如下结构的芴类超支化聚合物光电材料：![]()
化合物材料I 化合物材料II式中X为氮或者碳原子；R为氢或者含4-12个碳原子的烷氧基链；n为3-100中的具体数字或者其中具有一定分布的数字；Ar1、Ar2为氢或共轭芳环单元，Ar1、Ar2可以相同或者不同，具体优选结构如下：![]()
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