[发明专利]氮化物基发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110140333.0 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102651440A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 陈周;朴健 | 申请（专利权）人： | 半材料株式会社;朴健 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 林锦辉;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有反向p-n结构的氮化物基发光器件及其制造方法，其中在生长基底上首先形成p型氮化物层。该发光器件包括：生长基底；形成于生长基底上的用于氮化物生长的粉末型籽晶层；形成在用于氮化物生长的籽晶层上的p型氮化物层；形成在p型氮化物层上的发光活性层；以及形成在发光活性层上的n型ZnO层。首先在生长层上形成p型氮化物层，然后在其上形成具有相对较低生长温度的n型ZnO层来取代n型氮化物层，由此提供优异的结晶性和高亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包括在p型氮化物层与n型ZnO层之间的发光活性层的氮化物基发光器件，其特征在于包括：生长基底；粉末型籽晶层，所述粉末型籽晶层形成于所述生长基底上用于氮化物生长；p型氮化物层，所述p型氮化物层形成于用于氮化物生长的籽晶层上；发光活性层，所述发光活性层形成于该p型氮化物层上；以及n型ZnO层，所述n型ZnO层形成于该发光活性层上。
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