[发明专利]氮化物基发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110140320.3 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102651434A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 陈周;朴健 | 申请（专利权）人： | 半材料株式会社;朴健 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 林锦辉;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结晶性和亮度得到改善的氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件包括生长基底、形成在生长基底上的晶格缓冲层、形成在晶格缓冲层上的p型氮化物层、形成在p型氮化物层上的发光活性层，以及形成在发光活性层上的n型ZnO层。该晶格缓冲层是由具有纤维锌矿晶格结构的材料粉末形成的。晶格缓冲层是由ZnO粉末形成的，从而最大程度减少了氮化物生长过程中位错的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包括位于p型氮化物层与n型ZnO层之间的发光活性层的氮化物基发光器件，其特征在于：包括生长基底；晶格缓冲层，所述晶格缓冲层形成于所述生长基底上；p型氮化物层，所述p型氮化物层形成于该晶格缓冲层上；发光活性层，所述发光活性层形成于该p型氮化物层上；以及n型ZnO层，所述n型ZnO层形成于该发光活性层上，该晶格缓冲层是由具有纤维锌矿晶格结构的材料的粉末形成。
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