[发明专利]高效发光二极管有效
| 申请号： | 201110140245.0 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102255022A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 金多慧;李俊熙;柳宗均;金彰渊;林弘澈 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/36;H01L33/00;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鸿禧;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的示例性实施例涉及一种高效发光二极管(LED)。根据示例性实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，其中，半导体堆叠件具有p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，其中，电极延伸件具有与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的表面区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。 | ||
| 搜索关键词： | 高效 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，所述发光二极管包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，半导体堆叠件包括p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，电极延伸件包括与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的第一区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。
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