[发明专利]形成在块体衬底上的自对准多栅极晶体管

摘要

本发明涉及一种形成在块体衬底上的自对准多栅极晶体管。基于掩模材料中所提供的多个栅极开孔或栅极沟槽可形成在块体配置的三维晶体管。因此，在由该栅极开孔定义的部分内的下伏主动区中可有效地图样化多个自对准半导体鳍片，同时可有效地掩模将要提供平面型晶体管在其中的其它栅极开孔。在图样化该半导体鳍片及调整其有效高度后，基于常应用在平面型晶体管及三维晶体管的工艺技术可继续进一步的加工。

主权项

一种方法，包含下列步骤：在半导体器件的半导体层上方形成第一掩模层，该掩模层包含定义栅极电极的横向尺寸及位置的栅极开孔；在该栅极开孔中形成第二掩模层，该第二掩模层包含定义待形成在该半导体层中的多个鳍片的横向尺寸及位置的多个掩模特征；利用该第一及第二掩模层执行蚀刻工艺，以便在该半导体层的部分中形成该鳍片；以及在去除该第二掩模层后，在该栅极开孔中形成栅极电极结构，该栅极电极结构包含该栅极电极且连接至该多个鳍片。