[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110123641.2 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102244013A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | R.A.帕盖拉;J.A.卡帕拉斯;P.C.马里穆图 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/60;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;卢江 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体晶片具有被划片街区分开的多个半导体管芯。所述晶片被安装到切割胶带。所述晶片通过划片街区被单体化以暴露半导体管芯的侧表面。在半导体管芯上以及在半导体管芯的暴露的侧表面周围形成ESD保护层。所述ESD保护层可以是金属层、密封剂膜、导电聚合物、导电墨水、或被金属层覆盖的绝缘层。在半导体管芯之间单体化ESD保护层。将被ESD保护层覆盖的半导体管芯安装到临时载体。在覆盖半导体管芯的ESD保护层上沉积密封剂。除去载体。在半导体管芯和密封剂上形成互连结构。ESD保护层被电连接到互连结构以提供ESD路径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有多个被划片街区分开的半导体管芯的半导体晶片；将半导体晶片安装到切割胶带；通过划片街区单体化半导体晶片以暴露半导体管芯的侧表面；在半导体管芯上以及在半导体管芯的暴露的侧表面周围形成静电放电（ESD）保护层；单体化ESD保护层以使ESD保护层在半导体管芯之间不连续；将被ESD保护层覆盖的半导体管芯安装到临时载体；在覆盖半导体管芯的ESD保护层上沉积密封剂；除去临时载体；以及在半导体管芯和密封剂上形成互连结构，所述ESD保护层被电连接到所述互连结构以提供ESD路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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