[发明专利]在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法无效

专利信息
申请号: 201110119981.8 申请日: 2011-05-10
公开(公告)号: CN102191540A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 桑玲;王俊;魏鸿源;焦春美;刘祥林;朱勤生;杨少延;王占国 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: C30B25/02 分类号: C30B25/02;C30B25/14;C30B29/16;C30B29/62;B82Y40/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法,包含以下步骤:步骤1:取一衬底放入MOCVD设备中;步骤2:在MOCVD设备中利用载气通入锌源,在衬底上生长一层锌隔离层;步骤3:在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源,使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
搜索关键词: 极性 蓝宝石 衬底 生长 水平 排列 氧化锌 纳米 方法
【主权项】:
一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法,包含以下步骤:步骤1:取一衬底放入MOCVD设备中;步骤2:在MOCVD设备中利用载气通入锌源,在衬底上生长一层锌隔离层;步骤3:在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源,使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
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