[发明专利]形成栅极图案的方法以及半导体装置有效
| 申请号： | 201110109827.2 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102760654A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 张翼英;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成栅极图案的方法及半导体装置。栅极图案包含沿第一方向相互平行的多个栅极条，各栅极条被间隙断开。该方法包括：在衬底上形成栅极材料层；使栅极材料层的至少将形成间隙的位置处的蚀刻特性与其余位置处的蚀刻特性不同；在栅极材料层上形成第二抗蚀剂层；对第二抗蚀剂层进行第二图案化处理，以形成沿第一方向相互平行且连续延伸的多个开口；以经第二图案化处理后的第二抗蚀剂层为掩模，对栅极材料层进行第一蚀刻处理，其中，栅极材料层的至少将形成间隙的位置处的部分被选择性地留下；以及对栅极材料层进行第二蚀刻处理，以选择性地去除栅极材料层的至少将形成间隙的位置处的部分。本发明的方法能较精确地控制栅极图案的形状和尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 栅极 图案 方法 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种形成栅极图案的方法，所述栅极图案包含沿第一方向相互平行的多个栅极条，各栅极条被间隙断开，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在衬底上形成栅极材料层；使所述栅极材料层的至少将形成所述间隙的位置处的蚀刻特性与所述栅极材料层的其余位置处的蚀刻特性不同；在所述衬底上的所述栅极材料层上形成第二抗蚀剂层；对第二抗蚀剂层进行第二图案化处理，以形成沿第一方向相互平行且连续延伸的多个开口；以经第二图案化处理后的第二抗蚀剂层为掩模，对所述栅极材料层进行第一蚀刻处理，其中，所述栅极材料层的所述至少将形成所述间隙的位置处的部分被选择性地留下；以及对所述栅极材料层进行第二蚀刻处理，以选择性地去除所述栅极材料层的所述至少将形成所述间隙的位置处的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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