[发明专利]形成栅极图案的方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种形成栅极图案的方法，所述栅极图案包含沿第一方向相互平行的多个栅极条，各栅极条被间隙断开，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在衬底上形成栅极材料层；

使所述栅极材料层的至少将形成所述间隙的位置处的蚀刻特性与所述栅极材料层的其余位置处的蚀刻特性不同；

在所述衬底上的所述栅极材料层上形成第二抗蚀剂层；

对第二抗蚀剂层进行第二图案化处理，以形成沿第一方向相互平行且连续延伸的多个开口；

以经第二图案化处理后的第二抗蚀剂层为掩模，对所述栅极材料层进行第一蚀刻处理，其中，所述栅极材料层的所述至少将形成所述间隙的位置处的部分被选择性地留下；以及

对所述栅极材料层进行第二蚀刻处理，以选择性地去除所述栅极材料层的所述至少将形成所述间隙的位置处的部分。

2.如权利要求1所述的形成栅极图案的方法，其特征在于，使所述栅极材料层的至少将形成所述间隙的位置处的蚀刻特性与所述栅极材料层的其余位置处的蚀刻特性不同的步骤包括：

在所述栅极材料层的所述至少将形成所述间隙的位置处对所述栅极材料层进行注入或氧化。

3.如权利要求2所述的形成栅极图案的方法，其特征在于，使所述栅极材料层的至少将形成所述间隙的位置处的蚀刻特性与所述栅极材料层的其余位置处的蚀刻特性不同的步骤包括：

在所述衬底上的所述栅极材料层上形成第一抗蚀剂层；

对第一抗蚀剂层进行第一图案化处理，以露出所述栅极材料层的所述至少将形成所述间隙的位置；以及

以经第一图案化处理后的第一抗蚀剂层为掩模，对所述栅极材料层进行注入或氧化。

4.如权利要求1所述的形成栅极图案的方法，其特征在于，使所述栅极材料层的至少将形成所述间隙的位置处的蚀刻特性与所述栅极材料层的其余位置处的蚀刻特性不同的步骤包括：

在所述栅极材料层的所述其余位置处对所述栅极材料层进行注入或氧化。

5.如权利要求4所述的形成栅极图案的方法，其特征在于，使所述栅极材料层的至少将形成所述间隙的位置处的蚀刻特性与所述栅极材料层的其余位置处的蚀刻特性不同的步骤包括：

在所述衬底上的所述栅极材料层上形成第一抗蚀剂层；

对第一抗蚀剂层进行第一图案化处理，以露出所述栅极材料层的所述其余位置；以及

以经第一图案化处理后的第一抗蚀剂层为掩模，对所述栅极材料层进行注入或氧化。

6.如权利要求2-5中任一项所述的形成栅极图案的方法，其特征在于，当进行注入时，所注入的杂质选自C、Ge、B、P、As。

7.如权利要求1-5中任一项所述的形成栅极图案的方法，其特征在于，第一蚀刻处理中的蚀刻选择比大于2∶1。

8.如权利要求1-5中任一项所述的形成栅极图案的方法，其特征在于，第二蚀刻处理中的蚀刻选择比大于10∶1。

9.如权利要求1-5中任一项所述的形成栅极图案的方法，其特征在于，所述栅极材料层的所述至少将形成所述间隙的位置包括将多个相邻的所述间隙作为一个一体化的间隙的位置。

10.如权利要求1-5中任一项所述的形成栅极图案的方法，其特征在于，所述栅极材料层是多晶硅层。

11.如权利要求10所述的形成栅极图案的方法，其特征在于，在形成所述栅极图案之后，将所述栅极条的材料替换为金属。

12.如权利要求1-5中任一项所述的形成栅极图案的方法，其特征在于，

在所述栅极材料层上形成有硬掩模层；

对所述硬掩模层而不是所述栅极材料层进行各所述步骤；以及

所述形成栅极图案的方法还包括：

以经第二蚀刻处理后的所述硬掩模层为掩模，通过第三蚀刻处理形成所述栅极图案。

13.如权利要求12所述的形成栅极图案的方法，其特征在于，所述硬掩模层是硅氮化物层、硅氧化物层或聚合物层。

14.一种半导体装置，所述半导体装置具有栅极图案，所述栅极图案包含沿第一方向相互平行的多个栅极条，各栅极条将被间隙断开，其特征在于，

至少所述间隙的位置处具有栅极条材料，并且所述栅极条材料的蚀刻特性与所述栅极条的蚀刻特性不同。