[发明专利]亚微米波导型Ge量子阱电光调制器无效
| 申请号： | 201110108110.6 | 申请日： | 2011-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102169243A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 赵红卫;胡炜玄;成步文;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种亚微米波导型Ge量子阱电光调制器，包括：一SOI衬底，该SOI衬底包括一硅衬底，一制作在硅衬底上的二氧化硅层和制作在二氧化硅层上的硅波导层，该硅波导层的宽度小于二氧化硅层的宽度；一缓冲层，该缓冲层制作在SOI衬底上面的硅波导层的中间部位，该缓冲层的长度小于硅波导层的长度；一虚衬底，该虚衬底制作在缓冲层上；一有源区，该有源区制作在虚衬底的上面；一盖层，该盖层制作在有源区的上面，所述的缓冲层、虚衬底、有源区和盖层构成调制区，该调制区和SOI衬底上的硅波导层的宽度均为亚微米量级。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 波导 ge 量子 电光 调制器 | ||
【主权项】：
一种亚微米波导型Ge量子阱电光调制器，包括：一SOI衬底，该SOI衬底包括一硅衬底，一制作在硅衬底上的二氧化硅层和制作在二氧化硅层上的硅波导层，该硅波导层的宽度小于二氧化硅层的宽度；一缓冲层，该缓冲层制作在SOI衬底上面的硅波导层的中间部位，该缓冲层的长度小于硅波导层的长度；一虚衬底，该虚衬底制作在缓冲层上；一有源区，该有源区制作在虚衬底的上面；一盖层，该盖层制作在有源区的上面，所述的缓冲层、虚衬底、有源区和盖层构成调制区，该调制区和SOI衬底上的硅波导层的宽度均为亚微米量级。
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