[发明专利]带有集成保护器的GaN基功率器件：结构和方法

摘要

本发明实施例提供带有集成箝位结构的功率器件的结构和方法。箝位结构的集成可以保护功率器件，例如免于电过应力(EOS)。在一个实施例中，有源器件可以形成在基板之上，而箝位结构可以集成在功率器件的有源区之外，例如在有源区的下方和/或基板内。将箝位结构集成在功率器件的有源区之外可以使给定芯片尺寸的有源面积最大化并提高箝位器件的稳定性，因为电流会通过这种集成而分布于基板中。

主权项

一种功率器件，其包括：基板，其包括在下面的层上的外延层；有源器件，其包括有源区、漏极和源极，其中所述有源区设置在所述基板之上；第一沟槽电极，其设置在整个所述有源区上并与所述有源器件的所述源极电连接；在整个所述有源区并且在所述基板的所述外延层上围绕所述第一沟槽电极的电极层；和第二沟槽电极，其设置在整个所述有源区上；其中所述第二沟槽电极电连接所述有源器件的所述漏极与所述基板，使得电流在所述有源区之下流过所述基板。