[发明专利]功率MOS管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110103148.4 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102184959A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 苟鸿雁;吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率MOS管及其制造方法，所述功率MOS管包括漏区、形成于所述漏区上的体区，设置在所述体区和漏区中的U型栅极沟槽，设置在所述U型栅极沟槽的侧壁及底端的栅氧化层，填充所述U型栅极沟槽形成的栅极，以及设置在所述U型栅极沟槽两侧、所述体区表面下方的源区，所述漏区内、紧邻所述U型栅极沟槽的底部设有浮置环，所述U型栅极沟槽底部的栅氧化层的表面近似呈V型，所述栅极的底端面为V型端面。本发明的功率MOS管及其制造方法通过U型栅极沟槽底部V型氧化层和漏区内浮置环的设置，使得U型沟槽侧壁的电场均匀分布，从而提高功率MOS管的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率MOS管，包括漏区、形成于所述漏区上的体区，设置在所述体区和漏区中的U型栅极沟槽，设置在所述U型栅极沟槽的侧壁及底端的栅氧化层，填充所述U型栅极沟槽形成的栅极，以及设置在所述U型栅极沟槽两侧、所述体区表面下方的源区，其特征在于，所述漏区内、紧邻所述U型栅极沟槽的底部设有浮置环，所述U型栅极沟槽底部的栅氧化层的表面近似呈V型，所述栅极的底端面为V型端面。
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