[发明专利]InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201110101381.9 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102201516A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 程国胜;刘海滨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法。该LED包括依次生长在衬底上的低温GaN缓冲层、n型GaN层、有源区、p型AlGaN层和p型GaN层，所述有源区是由垂直于衬底的InGaN纳米柱阵列组成的。其制备方法包含如下步骤：将衬底放入材料生长设备中，通入Ga源和N源生长GaN低温缓冲层；升高温度，通入n型掺杂源在GaN低温缓冲层上生长n型GaN薄膜；降低温度，在n型GaN薄膜上生长垂直InGaN纳米柱阵列；升高温度，通入p型掺杂源在InGaN纳米柱阵列上生长p型掺杂AlGaN层；在p型掺杂AlGaN层上生长p型GaN层。本发明可以减弱极化场对LED发光效率的不良影响，提高出光效率，并增大有源区的体积。 | ||
| 搜索关键词： | ingan 纳米 阵列 有源 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种InGaN纳米柱阵列有源区LED，其特征在于：它包括依次生长在衬底上的低温GaN缓冲层、n型GaN层、有源区、p型AlGaN层和p型GaN层，所述有源区是由垂直于衬底的InGaN纳米柱阵列组成的。
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