[发明专利]半导体激光器的侧泵模块无效

专利信息
申请号: 201110100827.6 申请日: 2011-04-21
公开(公告)号: CN102545034A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 樊仲维;康治军;石朝辉;王培峰;闫晓超;周密 申请(专利权)人: 北京国科世纪激光技术有限公司
主分类号: H01S5/04 分类号: H01S5/04;H01S5/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100192 北京市海淀区西宀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种半导体激光器的侧泵模块,其用于改善泵浦均匀性,且通过机械固定件固定于激光器的底板上。该侧泵模块包括漫反射腔和泵浦源,其中,漫反射腔包括腔体、置设于腔体内的石英玻管以及置设于腔体内且位于石英玻管中的晶体棒,且在所述腔体上等间距设置有多个通光狭缝;泵浦源包括多个发光单元,且该发光单元为置设于所述通光狭缝中;此外,所述石英玻管和晶体棒之间为水流通道。本发明的优点在于通过调节泵浦源与晶体棒轴向的转角获得多向泵浦,并进一步采取离轴泵浦,解决了泵浦均匀性问题。
搜索关键词: 半导体激光器 模块
【主权项】:
一种半导体激光器的侧泵模块,用于改善泵浦均匀性,且通过机械固定件固定于激光器的底板上,其特征在于,包括:漫反射腔,包括腔体、置设于腔体内的石英玻管以及置设于腔体内且位于石英玻管中的晶体棒,其中,在腔体上等间距设置有多个通光狭缝;以及泵浦源,包括多个发光单元,发光单元为置设于所述通光狭缝中。
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  • 2013-11-14 - 2014-04-23 - H01S5/04
  • 本实用新型公开了一种圆环半导体激光器的均匀侧面泵浦结构,包括一个或多个圆环半导体激光器件,其中,每个圆环半导体激光器件包括:圆环半导体激光器热沉,圆环半导体激光器热沉具有电极引出口,设置在圆环半导体激光器热沉内环的圆环半导体激光器,以及穿设在圆环半导体激光器内的YAG,圆环半导体激光器具有两个电极,两个电极穿过半导体激光器热沉的电极引出口露出。本实用新型通过单个圆环半导体激光器热沉的设计使得半导体激光器封装简单,结构独立,可独立进行半导体激光器的加电工作;多个器件的旋转叠加装配可以弥补单个器件中由于电极引出带来的泵浦缺位,提高最终固体激光器的出射激光模式质量。
  • 太阳光泵浦半导体纳米线激光器-201310221956.X
  • 赵青;梁高峰;黄小平;黄洪;薄勇;赵怿哲 - 电子科技大学
  • 2013-06-06 - 2013-10-02 - H01S5/04
  • 太阳光泵浦半导体纳米线激光器,包括光学汇聚系统、反射透射镜组和半导体纳米线激光器件,所述光学汇聚系统由第一三维抛物面反射镜、第二三维抛物面反射镜和二维抛物面反射镜组成;所述第一三维抛物面反射镜和第二三维抛物面反射镜反射面开口相对且焦点重合,第一三维抛物面反射镜顶点处有通光孔;所述二维抛物面反射镜位于第一三维抛物面反射镜背光面,反射面开口朝向所述通光孔,所述半导体纳米线激光器件的半导体纳米线位于二维抛物面反射镜的焦线上。本发明打破了必须用高能激光器去泵浦纳米激光器的传统,收集方便,应用广泛。该纳米激光器可以与各类光波导器件很好的兼容,对卫星状态控制、光电子集成、传感等方面有重要意义。
  • 一种适用于钠激光导星的光源-201310274721.7
  • 王红岩;李礼航;宁禹;岳德胜;杨子宁;华卫红;李文煜;许晓军 - 中国人民解放军国防科学技术大学
  • 2013-07-02 - 2013-09-25 - H01S5/04
  • 本发明属于激光器技术领域,公开了一种适用于钠激光导星的光源。该光源包括用于产生泵浦光的泵浦源、含有增益介质的气体工作室和谐振腔。增益介质是由钠原子气体和惰性气体共同组的混合气体,该混合气体形成的准分子具有一个位于589nm处的共振吸收峰和一个波长比589nm短的吸收伴峰;泵浦光的波长对准吸收伴峰,将钠原子和惰性气体准分子泵浦至高能态,再通过分解生成高能态的钠原子;在谐振腔的作用下,高能态的钠原子向基态跃迁时辐射出589nm的激光。该激光自动对准钠原子的共振吸收峰,为钠激光导星提供光源。本发明无复杂的频率锁定和线宽控制系统,结构简单;工作介质具有寿命长,可循环利用的优点。
  • 电子束泵浦的发光管-201210445080.2
  • 张学渊;钟伟杰;赵健;夏忠平 - 上海显恒光电科技股份有限公司
  • 2012-11-08 - 2013-03-20 - H01S5/04
  • 本发明涉及光源领域,具体涉及电致发光领域。电子束泵浦的发光管包括一电致发光半导体机构,电致发光半导体机构生成在一反光金属层上,还包括一激励源,激励源采用一电子枪系统;电致发光半导体机构设置在电子枪系统的靶向方向上。电致发光半导体机构包含至少两层层叠的电致发光半导体层,构成半导体发光结构。相邻的两层电致发光半导体层为禁带宽度不同的电致发光半导体层,从而在新组成的材料的能带结构上形成单势能阱或是多势能阱的结构。以便于提高转换效率和调控光的波长。这些势能阱结构有利于约束半导体导带和价带上的载流子于特定的能量状态上,从而达到提高转换效率的目的。
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