[发明专利]一种高频声学自聚焦球面探头的制备方法无效
| 申请号： | 201110096761.8 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102247164A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 朱本鹏;郭万克;王自昱 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | A61B8/00 | 分类号： | A61B8/00;A61N7/00;G01N29/24 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高频声学自聚焦球面探头的制备方法，包括：（1）在基底上制备氮化硅层；（2）对氮化硅层进行光刻处理，并刻蚀孔洞：首先对氮化硅层进行光刻处理；接着配合使用曝光保护层以及紫外线曝光仪将光刻胶曝光，并使用显影液洗去多余的光刻胶；最后使用RIE刻蚀氮化硅层，在氮化硅层上形成孔洞；（3）将经上述处理的器件置于由HF、HNO3和HAC以体积比为1:4:3所组成的溶液中，并加以磁子搅拌进行腐蚀，即可获得聚焦球面探头元件。本发明制备的高频声学自聚焦球面探头，表面光滑、质量可靠，能够减少声学自聚焦器件生产过程中影响探头质量的人为因素，极大程度的解决了质量的统一度，满足大规模生产的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 声学 自聚焦 球面 探头 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高频声学自聚焦球面探头的制备方法，包括如下具体步骤：（1）在基底上制备氮化硅层；（2）对氮化硅层进行光刻处理，并刻蚀孔洞，具体为： 首先，对所述氮化硅层进行光刻处理，接着，使用曝光保护层以及紫外线曝光仪将光刻胶曝光，并使用显影液洗去多余的光刻胶；最后，利用RIE工艺刻蚀氮化硅层，在氮化硅层上形成孔洞；（3）将经上述处理的器件置于由HF、HNO3和HAC以体积比为 1:4: 3 所组成的溶液中，并加以磁子搅拌，进行腐蚀，形成球面探头元件；（4）将经腐蚀处理后的球面探头元件置于磷酸中，去除氮化硅保护层，从而形成高频声学自聚焦球面探头。
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