[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110095231.1 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102184864A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张锡明 | 申请（专利权）人： | 福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/77;H01L29/786;H01L29/43 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350015 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。于基板上形成彼此电性绝缘的透明源极与透明汲极。于基板上形成图案化透明氧化物半导体层而完全包覆透明源极与透明汲极。于基板上形成闸绝缘层，闸绝缘层至少覆盖于透明源极与透明汲极之间的部分图案化透明氧化物半导体层。于透明源极、透明汲极上方的闸绝缘层上形成透明闸极。本发明不仅能提高薄膜晶体管的制作良率，而且能降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：于一基板上形成彼此电性绝缘的一透明源极与一透明汲极；于该基板上形成一图案化透明氧化物半导体层而完全包覆该透明源极与该透明汲极；于该基板上形成一闸绝缘层，至少覆盖于该透明源极与该透明汲极之间的部分该图案化透明氧化物半导体层；以及于该透明源极、该透明汲极上方的该闸绝缘层上形成一透明闸极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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