[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110095013.8 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102185063A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李淼 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底；依次位于所述衬底上的缓冲层、非掺层、插入层、n型半导体层、有源层、p型半导体层以及电流扩散层；其中，所述插入层由至少一层非掺杂氮化物层和至少一层n型掺杂氮化物层构成，所述非掺杂氮化物层靠近所述n型半导体层。在n型区域电流注入时，所述插入层可形成类似充放电的效果，从而缓冲了n型区域电流的过冲现象，有效的提高了材料抵抗静电的能力；同时，由于限制了电流扩散区域的范围，而加强了电流扩散的效果，提高了电流分散的均匀性和电子注入的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：衬底；依次位于所述衬底上的缓冲层、非掺层、插入层、n型半导体层、有源层、p型半导体层以及电流扩散层；其中，所述插入层由至少一层非掺杂氮化物层和至少一层n型掺杂氮化物层构成，所述非掺杂氮化物层靠近所述n型半导体层，所述n型掺杂氮化物层靠近所述非掺层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于映瑞光电科技（上海）有限公司，未经映瑞光电科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110095013.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管及其制备方法
- 下一篇：一种氮化物LED结构及其制备方法
