[发明专利]处理半导体器件的方法、装置和系统无效
| 申请号： | 201110090804.1 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102737990A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 赵亚民;禹久赢 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李娟 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子和电力电子技术领域，尤其涉及处理半导体器件的方法、装置和系统，该方法包括：对场氧化后的衬底的有源区进行光刻；将第一杂质注入到光刻后的有源区，所述第一杂质的类型与所述衬底的杂质的类型相同；将所述第一杂质驱入至所述衬底内的预定结深，所述预定结深的位置对应在半导体器件的结型场效应晶体管JFET区中。使用本发明实施例提供的处理处理半导体器件的方法、装置和系统，通过向JFET区注入同质杂质，增加了JFET区的杂质浓度，减小了半导体器件的导通电阻，从而整体提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 半导体器件 方法 装置 系统 | ||
【主权项】：
一种处理半导体器件的方法，其特征在于，包括：对场氧化后的衬底的有源区进行光刻；将第一杂质注入到光刻后的有源区，所述第一杂质的类型与所述衬底的杂质的类型相同；将所述第一杂质驱入至所述衬底内的预定结深，所述预定结深的位置对应在半导体器件的结型场效应晶体管JFET区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
