[发明专利]处理半导体器件的方法、装置和系统

权利要求书

1.一种处理半导体器件的方法，其特征在于，包括：

对场氧化后的衬底的有源区进行光刻；

将第一杂质注入到光刻后的有源区，所述第一杂质的类型与所述衬底的杂质的类型相同；

将所述第一杂质驱入至所述衬底内的预定结深，所述预定结深的位置对应在半导体器件的结型场效应晶体管JFET区中。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对场氧化后的衬底的有源区进行光刻，包括：

对所述衬底的上表面进行场氧化，形成氧化膜；

在所述氧化膜的上表面添涂光刻胶后，对所述衬底的有源区进行光刻，在所述有源区形成半导体器件的图形区域。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将第一杂质注入到光刻后的有源区，包括：

通过注入设备，将与所述衬底的杂质的类型相同的第一杂质，注入到光刻后的有源区；所述第一杂质的类型包括：硼或磷。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据预置的半导体器件性能参数与结深的对应关系，获得半导体器件性能参数对应的所述预定结深。

5.如权利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于，所述将所述第一杂质驱入至所述衬底内的预定结深之后，还包括：

对注入第一杂质后的衬底进行光刻、第二杂质注入、第二杂质驱入、栅氧化、多晶硅溅积；所述第二杂质的类型与所述衬底的杂质的类型不同。

6.一种处理半导体器件的装置，其特征在于，包括：

光刻模块，用于控制光刻设备对场氧化后的衬底的有源区进行光刻；

注入模块，用于控制注入设备将第一杂质注入到光刻后的有源区，所述第一杂质的类型与所述衬底的杂质的类型相同；

驱入模块，用于控制驱入设备将所述第一杂质驱入至所述衬底内的预定结深，所述预定结深的位置对应在半导体器件的结型场效应晶体管JFET区中。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述光刻模块，具体用于衬底上表面形成氧化膜后，控制光刻设备在所述氧化膜的上表面添涂光刻胶，对所述衬底的有源区进行光刻，在所述有源区形成半导体器件的图形区域。

8.如权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括：

获取模块，用于根据预置的半导体器件性能参数与结深的对应关系，获得半导体器件性能参数对应的所述预定结深。

9.一种处理半导体器件的系统，其特征在于，包括：光刻设备、杂质注入设备和杂质驱入设备；

所述光刻设备，用于对场氧化后的衬底的有源区进行光刻；

所述杂质注入设备，用于将第一杂质注入到光刻后的有源区，所述第一杂质的类型与所述衬底的杂质的类型相同；

所述杂质驱入设备，用于将所述第一杂质驱入至所述衬底内的预定结深，所述预定结深的位置对应在半导体器件的结型场效应晶体管JFET区中。

10.如权利要求9所述的系统，其特征在于，

所述光刻设备，还用于对注入第一杂质后的衬底进行光刻；

所述杂质注入设备，还用于对光刻后的衬底进行第二杂质注入；

所述杂质驱入设备，还用于对第二杂质注入后的衬底进行第二杂质驱入；所述第二杂质的类型与所述衬底的杂质的类型不同。