[发明专利]垂直基于氮化镓的发光二极管无效
| 申请号： | 201110086887.7 | 申请日： | 2006-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102176501A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 金东佑;吴邦元;吴正铎;白亨基;金旼柱 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/22;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直基于氮化镓(GaN)的发光二极管。其包括：n电极；n型GaN层，形成在n电极之下，n型GaN层具有在与n电极接触的表面上形成的第二不平坦结构；有源层，形成在n型GaN层之下；p型GaN层，形成在有源层之下，p型GaN层具有在不与有源层接触的表面上形成的第一不平坦结构；p型反射电极，形成在具有第一不平坦结构的p型GaN层之下；以及支撑层，形成在p型反射电极之下，其中，第一不平坦结构和第二不平坦结构中至少一个包括从由多边形结构、衍射结构、网状结构、以及它们的组合构成的组中选取的规则的不平坦结构，其中，多边形结构的相邻多边形彼此间隔开等于或大于从有源层发射的光的波长的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 基于 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种垂直基于氮化镓(GaN)的发光二极管(LED)，包括：n电极；n型GaN层，形成在所述n电极之下，所述n型GaN层具有在与所述n电极接触的表面上形成的第二不平坦结构；有源层，形成在所述n型GaN层之下；p型GaN层，形成在所述有源层之下，所述p型GaN层具有在不与所述有源层接触的表面上形成的第一不平坦结构；p型反射电极，形成在具有所述第一不平坦结构的所述p型GaN层之下；以及支撑层，形成在所述p型反射电极之下，其中，所述第一不平坦结构和所述第二不平坦结构中至少一个包括从由多边形结构、衍射结构、网状结构、以及它们的组合构成的组中选取的规则的不平坦结构，其中，所述多边形结构的相邻多边形彼此间隔开等于或大于从所述有源层发射的光的波长的距离。
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