[发明专利]双面抛光半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201110084878.4 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102205520A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | J·施万德纳;T·布施哈尔特;R·柯普尔特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 双面抛光半导体晶片的方法，其包括在覆盖有第一抛光垫的上抛光盘与覆盖有第二抛光垫的下抛光盘之间对位于载体盘的切口中的半导体晶片进行同步双面抛光，其中在抛光期间位于载体盘中的半导体晶片的一部分面积暂时地突出于由上抛光盘和下抛光盘形成的加工间隙，其中这两个抛光垫均匀分布有宽度和深度为0.5至2mm的沟槽，从而在抛光垫上形成正方形区块的棋盘状分布，其中位于上抛光盘上的第一抛光垫具有大于20mm×20mm的区块，而位于下抛光盘上的第二抛光垫具有小于或等于20mm×20mm的区块，其中这两个抛光垫在区块上含有选自硅、铝和铈的元素的氧化物的、平均尺寸为0.1至1.0μm的磨料，其中在抛光期间送入pH值能够通过相应地添加碱性组分而在11至13.5的范围内改变的抛光剂溶液，其中在第一步骤中送入pH为11至12.5的抛光剂溶液，而在第二步骤中送入pH为大于或等于13的抛光剂溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 抛光 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
双面抛光半导体晶片的方法，其包括在覆盖有第一抛光垫的上抛光盘与覆盖有第二抛光垫的下抛光盘之间对位于载体盘的切口中的半导体晶片进行同步双面抛光，其中在抛光期间位于载体盘中的半导体晶片的一部分面积暂时地突出于由上抛光盘和下抛光盘形成的加工间隙，其中这两个抛光垫均匀分布有宽度和深度为0.5至2mm的沟槽，从而在抛光垫上形成正方形区块的棋盘状分布，其中位于上抛光盘上的第一抛光垫具有大于20mm×20mm的区块，而位于下抛光盘上的第二抛光垫具有小于或等于20mm×20mm的区块，其中这两个抛光垫在区块上含有选自硅、铝和铈的元素的氧化物的、平均尺寸为0.1至1.0μm的磨料，其中在抛光期间送入pH值能够通过相应地添加碱性组分而在11至13.5的范围内改变的抛光剂溶液，其中在第一步骤中送入pH为11至12.5的抛光剂溶液，而在第二步骤中送入pH为大于或等于13的抛光剂溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅电子股份公司，未经硅电子股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110084878.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种辐射场移动式视频监控系统
- 下一篇：充电器
