[发明专利]硫化镉薄膜太阳电池及其制备方法

摘要

本发明属于新能源材料与器件领域，特别涉及一种半导体薄膜太阳电池的制备方法。提出一种以Cd2SnO4为透明导电层，n型CdS为窗口层，Zn2SnO4作为透明导电层和窗口层之间的缓冲层材料，p型CdS作吸收层的CdS同质结太阳电池结构，在此基础上，采用干法工艺制备出同质结的CdS太阳电池。即在硼硅或铝硅玻璃上射频溅射透明导电层Cd2SnO4，随后射频溅射缓冲层Zn2SnO4，接下来，采用射频溅射法制备n型CdS作为窗口层，然后采用物理气相法室温沉积掺铜CdS并后处理，获得p型CdS作吸收层，或者物理气相法直接在一定温度下生长p型掺铜CdS作吸收层，最后沉积金属电极，并接上引线。采用上述结构和工艺，可更好收集和利用太阳光，有效地对CdS进行p型掺杂处理，并消除晶格失配和界面态带来的影响，从而获得更高的光电转换效率。

主权项

一种硫化镉薄膜太阳电池，结构为：玻璃/Cd2SnO4/Zn2SnO4/n‑CdS/p‑CdS:Cu/金属电极，其特征是：在玻璃与金属电极之间，依次为透明导电薄膜Cd2SnO4、缓冲层Zn2SnO4、窗口层n‑CdS、吸收层p‑CdS:Cu。