[发明专利]对包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种的基片进行抛光的方法有效
| 申请号： | 201110072107.3 | 申请日： | 2011-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102201337A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 郭毅;刘振东;K-A·K·雷迪;G·张 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;B24B37/04;H01L21/321;C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用来对基片进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供基片，其中，所述基片包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种；提供一种化学机械抛光组合物，其包含以下组分作为初始组分：水；磨料；无环有机磺酸化合物，其中，所述无环有机磺酸化合物包含具有6-30个碳原子的无环疏水性部分以及包含10-300个碳原子的非离子型无环亲水性部分；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；使得抛光表面相对于基片运动；将所述化学机械抛光组合物分配在所述抛光表面上；磨去所述基片的至少一部分，从而对所述基片进行抛光；其中，从基片上除去至少一部分多晶硅；从基片上除去至少一部分的氧化硅和氮化硅中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 多晶 以及 氧化 氮化 中的 至少 一种 进行 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种用来对基片进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供基片，其中，所述基片包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种；提供一种化学机械抛光组合物，其包含以下物质作为初始组分：水；磨料；无环有机磺酸化合物，其中，所述无环有机磺酸化合物包含具有6‑30个碳原子的无环疏水性部分，以及包含10‑300个碳原子的非离子型无环亲水性部分；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；使得所述抛光表面相对于所述基片运动；将所述化学机械抛光组合物分配在所述抛光表面上；以及，磨去基片的至少一部分，从而抛光所述基片；其中，从基片上除去至少一部分多晶硅；从基片上除去氧化硅和氮化硅中的至少一种的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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