[发明专利]对包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种的基片进行抛光的方法

权利要求书

1.一种用来对基片进行化学机械抛光的方法，该方法包括：

提供基片，其中，所述基片包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种；

提供一种化学机械抛光组合物，其包含以下物质作为初始组分：水；磨料；无环有机磺酸化合物，其中，所述无环有机磺酸化合物包含具有6-30个碳原子的无环疏水性部分，以及包含10-300个碳原子的非离子型无环亲水性部分；

提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；

使得所述抛光表面相对于所述基片运动；

将所述化学机械抛光组合物分配在所述抛光表面上；以及，

磨去基片的至少一部分，从而抛光所述基片；

其中，从基片上除去至少一部分多晶硅；从基片上除去氧化硅和氮化硅中的至少一种的至少一部分。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片在氧化硅的存在下包含多晶硅，所述化学机械抛光组合物显示的氧化硅/多晶硅去除速率选择性≥2∶1。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在以下操作条件下，所述化学机械抛光组合物显示的氧化硅去除速率≥800/分钟：台板转速93转/分钟，支架转速87转/分钟，化学机械抛光组合物的流速200毫升/分钟，在200毫米的抛光机上施加20.7kPa的标称向下作用力，所述化学机械抛光垫包括含有聚合物空心微粒的聚氨酯抛光层以及聚氨酯浸渍的非织造子垫。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述多晶硅是无定形多晶硅，所述化学机械抛光组合物显示的氧化硅/无定形多晶硅去除速率选择性≥2∶1。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述多晶硅是无定形多晶硅，所述化学机械抛光组合物显示的氧化硅/无定形多晶硅去除速率选择性≥5∶1。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片在氮化硅的存在下包含多晶硅，所述化学机械抛光组合物显示的氮化硅/多晶硅去除速率选择性≥2∶1。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在以下操作条件下，所述化学机械抛光组合物显示的氮化硅去除速率≥800/分钟：台板转速93转/分钟，支架转速87转/分钟，化学机械抛光组合物的流速200毫升/分钟，在200毫米的抛光机上施加20.7kPa的标称向下作用力，所述化学机械抛光垫包括含有聚合物空心微粒的聚氨酯抛光层以及聚氨酯浸渍的非织造子垫。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述多晶硅是无定形多晶硅，所述化学机械抛光组合物显示的氮化硅/无定形多晶硅去除速率选择性≥2∶1。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述多晶硅是无定形多晶硅，所述化学机械抛光组合物显示的氮化硅/无定形多晶硅去除速率选择性≥5∶1。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无环有机磺酸化合物的化学式为R(EO)_xSO₃Na，其中R是包含6-30个碳原子的脂肪醇；EO是环氧乙烷，x是10-300。