[发明专利]一种T轴旋转限位结构无效
申请号: | 201110062776.2 | 申请日: | 2011-03-16 |
公开(公告)号: | CN102290360A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 刘延杰;吴明月;荣伟彬;孙立宁 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种旋转角度大于1000°的T轴旋转限位结构包括T轴限位上联接盘1、一级拨榫机构组合2、一级旋转限位拨盘3、二级拨榫机构组合4、上轴承5、轴承隔套6、旋转轴7、下轴承8、二级旋转限位拨盘9、限位套10、限位块11、联接螺钉12等。完成装配后,T轴限位机构旋转的总角度达1010°,以适应集成度要求更高、能够满足多角度、多工位进行硅片传输的T轴限位旋转机构。 | ||
搜索关键词: | 一种 旋转 限位 结构 | ||
【主权项】:
T轴旋转限位机构,用在硅片传输机器人中,旋转角度大于1000°,包括T轴限位上联接盘(1)、一级拨榫机构组合(2)、一级旋转限位拨盘(3)、二级拨榫机构组合(4)、上轴承(5)、轴承隔套(6)、旋转轴(7)、下轴承(8)、二级旋转限位拨盘(9)、限位套(10)、限位块(11)、联接螺钉(12)等;其特征在于:所述T轴限位上联接盘(1)的沉孔内,装有一级拨榫机构组合(2);所述一级旋转限位拨盘(3)的沉孔内,装有二级拨榫机构组合(4),上表面开有圆周为330°的限位拨盘槽;所述旋转轴(7)轴肩上部装有下轴承(8)、轴承隔套(6)、上轴承(5);所述二级旋转限位拨盘(9)的上表面开有圆周为340°的限位拨盘槽,外侧设有20°的限位凸缘;所述限位套(10)的外侧圆柱面上,通过联接螺纹钉(12)装有限位块(11)。所述定位套(10)安装在机体上固定;所述二级旋转限位拨盘(9)的内孔与下轴承(8)配合并安装到位;所述一级旋转限位拨盘(3)的内孔与上轴承(5)配合安装到位,并使二级拨榫机构组合(4)的拨榫进入至二级旋转限位拨盘(9)的限位拨盘槽内;所述T轴限位上联接盘(1)的内孔,与旋转轴(7)的上部轴径相配合安装到位,并使一级拨榫机构组合(2)的拨榫进入至一级旋转限位拨盘(3)的限位拨盘槽内;将所述装配后的机构通过旋转轴(7)的下端轴径,安装在限位套(10)的内孔。所述结构中,用手以顺时针方向转动T轴限位上联接盘(1),直到转不动(限位)为止;此时,再逆时针转动T轴限位上联接盘(1),可以看到,当T轴限位上联接盘(1)旋转了330°时,一级拨榫机构组合(2)带动一级旋转限位拨盘(3)开始旋转;再逆时针旋转340°后,二级拨榫机构组合(4)带动二级旋转限位拨盘(9)开始旋转;继续逆时针旋转340°后,二级旋转限位拨盘(9)侧面的限位凸缘被限位套(10)上的限位块(11)阻挡,达到另一侧限位位置;此时T轴限位机构旋转的总角度为:330°+340°+340°=1010°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造