[发明专利]一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法有效
| 申请号： | 201110061444.2 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102681335A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李海亮;谢常青;牛洁斌;朱效立;史丽娜;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/30;G02B5/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，该方法利用SU-8负性光刻胶形成衍射光学元件光刻胶图形，之后通过旋涂无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ，对样品进行X射线辐照使无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ转变为类石英，最后通过浓硫酸和双氧水的混合液去除SU-8负性光刻胶形成位相型衍射光学元件。该方法快速有效地去除了X射线曝光后的SU-8负性光刻胶，并且在X射线曝光的同时将HSQ转变为类石英，可以制备出石英底部非常光滑的位相型衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠且与传统的光刻工艺相兼容的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 湿法 腐蚀 制备 位相 衍射 光学 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，其特征在于，该方法利用SU‑8负性光刻胶形成衍射光学元件光刻胶图形，之后通过旋涂无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ，对样品进行X射线辐照使无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ转变为类石英，最后通过浓硫酸和双氧水的混合液去除SU‑8负性光刻胶形成位相型衍射光学元件。
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