[发明专利]用于抛光半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201110060042.0 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102189471A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | J·施万德纳;M·克斯坦 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于抛光半导体晶片的方法，其包括在使用抛光垫及在第一步骤中送入包含磨料的抛光剂悬浮液、随后结束送入抛光剂悬浮液及在第二步骤中送入pH值大于或等于12的不含固体的抛光剂溶液的情况下抛光半导体晶片的表面，其中所用的抛光垫在与半导体晶片待抛光的表面接触的面上具有包含凸起的表面结构，且抛光垫不含发挥磨料作用的物质。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
用于抛光半导体晶片的方法，其包括在使用抛光垫及在第一步骤中送入包含磨料的抛光剂悬浮液、随后结束送入抛光剂悬浮液及在第二步骤中送入pH值大于或等于12的不含固体的抛光剂溶液的情况下抛光半导体晶片的表面，其中所用的抛光垫在与半导体晶片待抛光的表面接触的面上具有包含凸起的表面结构，且抛光垫不含发挥磨料作用的物质。
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