[发明专利]一种闪存电路有效
| 申请号： | 201110057568.3 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102122949A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种闪存电路，至少包括外围电路和行译码电路，其中所述行译码电路包括电平移位电路、字线选择电路以及驱动锁存电路，其中所述电平移位电路包括：第一上拉MOS管和第二上拉MOS管，第一下拉MOS管和第二下拉MOS管以及第一反相器，通过增大第一下拉MOS管和第二下拉MOS管的源极电压，使所述源极电压大于第一下拉MOS管和第二下拉MOS管的栅极电压；同时增大第一上拉MOS管和第二上拉MOS管的衬底电压，使所述衬底电压大于第一上拉MOS管和第二上拉MOS管的源极电压。本发明通过对现有闪存电路中的电平移位电路的改进，使得当闪存系统处于待机时，可以减小流过MOS管的漏电电流，使MOS管不会受到高漏电流的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 电路 | ||
【主权项】：
一种闪存电路，至少包括外围电路和行译码电路，其中所述行译码电路包括电平移位电路、字线选择电路以及驱动锁存电路，其中所述电平移位电路包括：第一上拉MOS管和第二上拉MOS管，第一下拉MOS管和第二下拉MOS管以及第一反相器，其特征在于，所述第一下拉MOS管的源极和所述第二下拉MOS管的源极分别连接于第一电压端和第二电压端，其中所述第一电压端的电压大于第一下拉MOS管的栅极电压，所述第二电压端的电压大于第二下拉MOS管的栅极电压；所述第一上拉MOS管的衬底和所述第二上拉MOS管的衬底分别连接于第三电压端和第四电压端，其中所述第三电压端的电压大于所述第一上拉MOS管的源极电压，所述第四电压端的电压大于所述第二上拉MOS管的源极电压。
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