[发明专利]一种大尺寸通孔的制作方法无效
| 申请号： | 201110054327.3 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102412186A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 程晓华;彭虎 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸通孔的制作方法，包括如下步骤：(1)深通孔刻蚀；(2)第一步阻挡层金属沉积，形成第一层阻挡层金属，其采用Ti和TiN双层或者采用单层TiN；(3)第二步阻挡层金属沉积，形成第二层阻挡层金属，其采用单层TiN；(4)深通孔钨填充；(5)钨回刻。本发明采用两步不同的工艺来沉积阻挡层金属，先用MOCVD沉积具有良好台阶覆盖能力的Ti/TiN膜，阻挡钨沉积工艺时对孔侧壁及底部的侵蚀，之后再用PVD的方法，沉积一定厚度TiN，作为后续钨回刻的硅表面阻挡层。这样一来深孔的电学性能和相应的工艺控制均能兼顾。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 制作方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸通孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)深通孔刻蚀；(2)第一步阻挡层金属沉积，形成第一层阻挡层金属，其采用Ti和TiN双层或者采用单层TiN；(3)第二步阻挡层金属沉积，形成第二层阻挡层金属，其采用单层TiN；(4)深通孔钨填充；(5)钨回刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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