[发明专利]阻气膜、膜沉积方法和膜沉积设备有效
| 申请号： | 201110054321.6 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102191478A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 西田弘幸 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供阻气膜，膜沉积方法和膜沉积设备。所述阻气膜包含：基底膜；和沉积在所述基底膜的表面上的氮化硅层，其中在所述氮化硅层的厚度方向上，所述氮化硅层的更靠近基底膜侧并且具有所述氮化硅层的20％厚度的区域的第一平均密度低于与所述基底膜相反侧并且具有所述氮化硅层的20％厚度的区域的第二平均密度，并且具有所述氮化硅层的20％厚度的中间区域的第三平均密度介于所述第一平均密度和所述第二平均密度之间。 | ||
| 搜索关键词： | 阻气膜 沉积 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种阻气膜，所述阻气膜包含：基底膜；和沉积在所述基底膜的表面上的氮化硅层，其中在所述氮化硅层的厚度方向上，所述氮化硅层的更靠近所述基底膜侧并且具有所述氮化硅层的20％厚度的区域的第一平均密度低于与所述基底膜相反侧并且具有所述氮化硅层的20％厚度的区域的第二平均密度，并且具有所述氮化硅层的20％厚度的中间区域的第三平均密度介于所述第一平均密度和所述第二平均密度之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社，未经富士胶片株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110054321.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
