[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110052370.6 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102169907A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李刘中;丁宏哲;陈佳榆 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括一栅极、一闸绝缘层、一氧化物半导体通道层、一源极以及一汲极。栅绝缘层覆盖栅极，而氧化物半导体通道层配置于栅绝缘层上且位于栅极上方，其中氧化物半导体通道层包括一第一子层与一第二子层，第二子层位于第一子层上，且第一子层的氧含量低于第二子层的氧含量。此外，源极与漏极配置于第二子层的部分区域上。本发明另提出前述的薄膜晶体管的制造方法。由于本发明的氧化物半导体包括多层不同氧含量的子层，并通过氧含量较高的子层来抑制临界电压偏移以及滤除紫外线，因此本发明的薄膜晶体管具有良好的电气特性与信赖性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一栅极；一栅绝缘层，覆盖该栅极；一氧化物半导体通道层，配置于该栅绝缘层上且位于该栅极上方，其中该氧化物半导体通道层包括一第一子层与一第二子层，该第二子层位于该第一子层上，且该第一子层的氧含量低于该第二子层的氧含量；以及一源极与一漏极，配置于该第二子层的部分区域上。
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