[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一栅极；

一栅绝缘层，覆盖该栅极；

一氧化物半导体通道层，配置于该栅绝缘层上且位于该栅极上方，其中该氧化物半导体通道层包括一第一子层与一第二子层，该第二子层位于该第一子层上，且该第一子层的氧含量低于该第二子层的氧含量；以及

一源极与一漏极，配置于该第二子层的部分区域上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该氧化物半导体通道层包括一非晶硅氧化物半导体通道层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该氧化物半导体通道层的材质包括氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟镓、氧化锡、氧化镉·氧化锗或氧化镍钴。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第二子层为一紫外线滤除层。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，更包括一第三子层，配置于该第一子层与该第二子层之间，其中该第三子层的氧含量介于该第一子层的氧含量与该第二子层的氧含量之间。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，更包括多个第三子层，配置于该第一子层与该第二子层之间，其中该第三子层的氧含量介于该第一子层的氧含量与该第二子层的氧含量之间，且靠近该第一子层的该第三子层的氧含量低于靠近该第二子层的该第三子层的氧含量。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一子层的溅镀反应沉积氧/氩比介于0至10之间，该第二子层的溅镀反应沉积氧/氩比介于5至80之间。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一子层具有一第一倾斜侧壁，该第二子层具有一第二倾斜侧壁，该第一倾斜侧壁较缓，该第二倾斜侧壁较陡。

9.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一栅极；

于该基板上形成一栅绝缘层以覆盖该栅极；

于该栅极上方的该栅绝缘层上依序形成一第一子层与一第二子层，其中该第一子层的氧含量低于该第二子层的氧含量；以及

于该第二子层的部分区域上形成一源极与一漏极。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一子层与该第二子层的形成方法包括：

在一第一溅镀反应沉积氧/氩比的条件下，于该栅绝缘层上形成一第一材料层；

在一第二溅镀反应沉积氧/氩比的条件下，于该第一材料层上形成一第二材料层；以及

图案化该第一材料层与该第二材料层，以形成该第一子层与该第二子层。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，图案化该第一材料层与该第二材料层的方法包括：

于该第二材料层上形成一图案化光刻胶层；以及

以该图案化光刻胶层为掩膜，移除未被该图案化光刻胶层所覆盖的该第一材料层与该第二材料层。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一材料层与该第二材料层是通过一蚀刻剂蚀刻而被图案化。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该蚀刻剂包括草酸。

14.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一溅镀反应沉积氧/氩比介于0至10之间，而该第二溅镀反应沉积氧/氩比介于5至80之间。

15.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一栅极；

一栅绝缘层，覆盖该栅极；

一氧化物半导体通道层，配置于该栅绝缘层上且位于该栅极上方，其中该氧化物半导体通道层为单一膜层且具有一第一部以及一第二部，该第一部位于该第二部以及该栅绝缘层之间，该第一部的结晶尺寸大于该第二部的结晶尺寸；以及

一源极与一漏极，配置于该氧化物半导体通道层上。