[发明专利]功率半导体器件及使用该器件的功率转换系统

摘要

对于已知模块而言，由于导线电感的存在，IGBT截止时的峰值电压值比直流电压高出浪涌电压的量，换言之具有高额定电压的元件是必要的。具有高额定电压的芯片导致模块和应用该芯片的设备的尺寸增大以及成本增加。第一IGBT、其阴极连接到第一IGBT发射极的二极管、具有反向阻断电压的第二IGBT容纳于一个封装中，其中第二IGBT的发射极连接到第一IGBT的发射极。

主权项

一种应用于具有三个或更多个电压波形电平的多电平转换器电路的功率半导体模块，其特征在于，第一IGBT、其阴极连接到所述第一IGBT的发射极的二极管、以及具有反向阻断电压的第二IGBT容纳于一个封装中，其中所述第二IGBT的发射极连接到所述第一IGBT的发射极，且所述第一IGBT的集电极、所述第二IGBT的集电极、所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的发射极的连接点、以及所述二极管的阳极均为外部端子。