[发明专利]场效应晶体管

摘要

本发明提供一种场效应晶体管，其具备形成于基板(100)上并具有第1氮化物半导体层(122)和第2氮化物半导体层(123)的半导体层层叠体(102)。在半导体层层叠体(102)上，相互留有间隔地形成有源电极(131)和漏电极(132)。在源电极(131)与漏电极(132)之间，与源电极(131)和漏电极(132)留有间隔地形成有栅电极(133)。在漏电极(132)的附近形成有空穴注入部(141)。空穴注入部(141)具有p型的第3氮化物半导体层(142)和形成于第3氮化物半导体层(142)上的空穴注入电极(143)。漏电极(132)与空穴注入电极(142)的电位实质相等。由此，能够容易地实现抑制了电流崩塌的使用了氮化物半导体的场效应晶体管。

主权项

一种场效应晶体管，其具备：半导体层层叠体，其形成于基板上，具有第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层，该第2氮化物半导体层形成于该第1氮化物半导体层上，并且与该第1氮化物半导体层相比带隙较大；源电极和漏电极，其相互留有间隔地形成于所述半导体层层叠体上；栅电极，其与所述源电极及漏电极留有间隔地形成于所述源电极与所述漏电极之间；和空穴注入部，其与所述栅电极相比更接近所述漏电极地形成于所述半导体层层叠体上，所述空穴注入部具有p型的第3氮化物半导体层和形成于该第3氮化物半导体层上的空穴注入电极，所述漏电极与所述空穴注入电极的电位实质相等。