[发明专利]研磨监视方法、研磨方法、研磨监视装置及研磨装置有效
| 申请号： | 201110049961.8 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102194690A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 小林洋一 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;B24B37/00;B24B49/04;B24B49/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够正确地监视研磨的进展、还能够检测正确的研磨终点的方法。本方法在基板的研磨中对基板照射光，受光来自基板的反射光，对各波长测量反射光的强度，由强度的测量值生成表示强度与波长之间的关系的波谱，计算出每规定时间的波谱的变化量，将波谱的变化量沿着研磨时间累积而计算出波谱累积变化量，基于波谱累积变化量监视基板的研磨的进展。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 监视 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种研磨监视方法，监视具有膜的基板的研磨，其特征在于，在基板的研磨中对上述基板照射光；受光来自上述基板的反射光；按各波长测量上述反射光的强度；由上述强度的测量值生成表示强度与波长之间的关系的波谱；计算出每规定时间的上述波谱的变化量；将上述波谱的变化量沿着研磨时间累积而计算出波谱累积变化量；基于上述波谱累积变化量监视上述基板的研磨的进展。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
