[发明专利]具有底面电极的部件的拆除方法无效
申请号: | 201110048175.6 | 申请日: | 2011-02-28 |
公开(公告)号: | CN102208357A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 高田理映;山本刚 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K1/018 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;王伶 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有底面电极的部件的拆除方法。在最初状态中,具有诸如BGA的底面电极的部件附接到基板。使诸如低熔点焊料的传热材料填充在基板和具有底面电极的部件之间的间隙,并且加热所述传热材料和充当底面电极的BGA。通过加热使传热材料和BGA熔化,使得从基板拆除具有底面电极的部件。 | ||
搜索关键词: | 具有 底面 电极 部件 拆除 方法 | ||
【主权项】:
一种具有底面电极的部件的拆除方法,该拆除方法包括以下步骤:填充步骤,用传热材料填充基板和通过所述底面电极焊接到所述基板上的所述部件之间的间隙;加热步骤,对所述传热材料和所述底面电极进行加热;以及拆除步骤,从所述基板拆除所述部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110048175.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造