[发明专利]一种P型GaN上双层透明电极无效
| 申请号： | 201110047477.1 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102142496A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张昊翔;叶志镇;吕建国;江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/42 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基LED中P型GaN上双层透明电极，该透明电极由ITO薄膜和ZnO基薄膜双层结构组成，其工艺步骤为：1）在P型GaN上沉积ITO薄膜为第一透明导电层，厚度为1～1000微米；2）在第一透明导电层上沉积低阻ZnO基薄膜为第二透明导电层，电阻率在10–4～10–5Ωcm。本发明的双层透明电极具有电阻率低、电流均匀扩散、透光率高、稳定性好的优点，双层电极的使用可以提高GaN基LED的发光效率和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 双层 透明 电极 | ||
【主权项】：
一种P型GaN上双层透明电极，其特征在于包括P型GaN层(1)、ITO薄膜(2)和ZnO基薄膜(3)；在P型GaN层(1)上顺次设有ITO薄膜(2)和ZnO基薄膜(3)，ITO薄膜(2)为第一透明导电层，ZnO基薄膜(3)为第二透明导电层。
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