[发明专利]交点自对准的可编程存储装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201110043837.0 | 申请日： | 2011-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102446547A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可编程存储装置和制作可编程存储阵列的方法。该可编程存储阵列中，相变存储单元是在存取装置处与在位线与字线的交点处自对准。该制作可编程存储阵列的方法中，使用线掩模以定义位线和另一线掩模以定义字线，前段工艺(FEOL)存储单元是在同一层如同多晶硅栅，位线与字线在该装置上相交，且该存储阵列存储单元形成在位线与字线的相交处。本发明可以增加在存储单元阵列内的存储单元的密度，减少存储装置的制造的工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 交点 对准 可编程 存储 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种可编程存储装置，其特征在于，包括：具有包括一周边区域与一存储阵列区域的一表面的一半导体衬底本体；在该存储阵列区域的一可编程存储阵列以及在该周边区域的该衬底表面的一逻辑装置层；该存储阵列包括：形成在该衬底本体的多个存取装置以及形成在该衬底表面的多个可编程存储元件，其中这些存取装置与这些存储元件是在多个位线与多个字线的多个交点处对准，以及这些位线是与这些可编程存储元件与这些存取装置自对准。
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