[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统有效
| 申请号： | 201110041691.6 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102237453A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 朴径旭;郑明训 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/44;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：导电支撑衬底；在导电支撑衬底上的保护层，保护层具有倾斜的顶表面；在导电支撑衬底和保护层上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及在发光结构层上的电极。保护层的一部分被布置在导电支撑衬底和发光结构层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 封装 以及 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：导电支撑衬底；保护层，所述保护层在所述导电支撑衬底上，所述保护层具有倾斜的顶表面；发光结构层，所述发光结构层在所述导电支撑衬底和所述保护层上，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；以及在所述发光结构层上的电极，其中所述保护层的一部分被布置在所述导电支撑衬底和所述发光结构层之间。
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