[发明专利]真空处理装置有效
申请号: | 201110036139.8 | 申请日: | 2011-02-09 |
公开(公告)号: | CN102569016A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 矶村僚一;田内勤;近藤英明 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种可靠性高的真空处理装置,该真空处理装置具备:在真空输送室内输送晶片的第一及第二真空输送容器;与这些真空输送容器的分别连结且连通处理室和所述真空输送室的第一及第二真空处理容器;在所述第一及第二真空输送容器之间连结且内部可收纳所述晶片的中间室容器;与所述第一真空输送容器连结且内部连通的闭锁室;配置于所述第一及第二真空输送容器与所述第一、第二真空处理容器、所述中间室容器及所述闭锁室的每一个之间并进行气密开闭的多个阀门,在开放所述第一真空处理容器的处理室和所述第一真空输送容器的真空输送室之间或者第二真空处理容器的处理室和所述第二真空输送容器的真空输送室之间的阀门之前,将配置于所述第一及第二真空输送容器之间的所述阀门的任一个关闭。 | ||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种真空处理装置,其中,具备:在减压后的内部的真空输送室内输送晶片的第一及第二真空输送容器;与这些真空输送容器分别连结并且连通在内部对所述晶片进行处理的处理室和所述真空输送室的第一及第二真空处理容器;在所述第一及第二真空输送容器之间连接配置这些第一及第二真空输送容器,并且在内部能够收纳所述晶片的中间室容器;与所述第一真空输送容器连结并且内部连通的闭锁室;配置于所述第一及第二真空输送容器与所述第一、第二真空处理容器、所述中间室容器及所述闭锁室的每一个之间,并且开放或者气密地密封而关闭它们之间的连通的多个阀门;在开放所述第一真空处理容器的处理室与所述第一真空输送容器的真空输送室之间、或者第二真空处理容器的处理室与所述第二真空输送容器的真空输送室之间的阀门之前,将配置于所述第一及第二真空输送容器之间的所述阀门的任一个关闭。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造