[发明专利]氢气的排气方法以及真空泵装置无效
| 申请号: | 201110035448.3 | 申请日: | 2011-01-31 |
| 公开(公告)号: | CN102169813A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
| 发明(设计)人: | 山本真也;稻垣雅洋;林元气 | 申请(专利权)人: | 株式会社丰田自动织机 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;王轶 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种能够提高氢气的排气效率的氢气的排气方法以及真空泵装置。真空泵装置S的构成为:主泵(10)、第二辅助泵(27)以及第一辅助泵(55)串联连接,并且在排气通路中的氢气的排气方向上,第一辅助泵(55)以及第二辅助泵(27)配置在主泵(10)的上游侧。在真空泵装置(S)的驱动过程中,来自半导体制造装置的氢气最先被吸入的第一辅助泵(55)的排气口(56b)处,经由导入口(56c)以及导入管(70)供给粘性率高于氢气的氮气,利用该氮气的粘性来提高氢气的输送性。 | ||
| 搜索关键词: | 氢气 排气 方法 以及 真空泵 装置 | ||
【主权项】:
一种氢气的排气方法,由如下真空泵装置来排出氢气,该真空泵装置设置在氢气的排气通路上,其中串联连接有主泵以及至少一个副泵,并且在上述排气通路中的氢气的排气方向上,上述副泵配置在上述主泵的上游侧,该氢气的排气方法的特征在于,在上述真空泵装置的驱动过程中,向上述排气通路中的氢气最先被吸入的副泵的排气区域中,供给粘性率高于上述氢气的稀释气体,并利用该稀释气体的粘性来提高上述氢气的输送性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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